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甲基橙染料廢水的光降解活性研究

2017-03-15 05:51:24

  1 引言

  二氧化鈦作為一種光催化材料已被廣泛研究,目前已成為應用前景較廣的光催化材料之一.然而,因二氧化鈦自身本禁帶寬度較大,只能被紫外光激發,不能充分利用太陽光,這一特性大大縮小了TiO2的應用范圍.為了縮小TiO2的禁帶寬度,提高其對可見光的響應,也有研究者對此進行了較多的研究,主要是通過TiO2體系摻雜或表面改性等有效手段將TiO2的光譜范圍擴寬.自從2001年,Asahi等首次報道了氮摻雜可以使TiO2的帶隙變窄,且不降低自身的紫外光活性,從此掀起了N、S、C、鹵素等多種非金屬元素摻雜TiO2的研究熱潮.非金屬元素摻雜主要通過取代TiO2晶格中的O或Ti原子,使TiO2帶隙變窄,增加可見光的吸收.目前,已報道的非金屬摻雜研究較多,摻雜后產品中引入新能級,新能級與TiO2能級形成復合能級結構,捕獲光生空穴,提高光生電子-空穴的分離效率乃至光催化活性.而摻雜后產品的光催化活性增強效果不同,如劉少友等(2011)采用簡單易行的固相反應法合成了硫、鋁單摻雜及硫鋁共摻雜TiO2光催化納米材料,在可見光輻射下,S-Al-TiO2納米材料對溴甲酚綠的可見光降解速率均比S、Al 單摻雜材料要大.最近大量研究發現,過渡金屬/非金屬元素共摻雜、金屬/非金屬共摻雜比單一非金屬元素摻雜更能使TiO2活性增強.共摻雜中金屬/非金屬主要通過在TiO2禁帶中引入新的能級,一是因為非金屬N、S摻雜可在導帶以下部位引入電子供體能級,減小禁帶寬度,增加可見光吸收;二是由于金屬摻雜后新引入的能級作為電子捕獲劑,延長e--h+光致電荷分離存在的時間,進而增強光催化活性.

  為了探討共摻雜TiO2對染料的光催化性能,本文以尿素、硫脲分別作為N、S源,氯化錫作為Sn源,制備活性較強的金屬-非金屬共摻雜體系,并采用XRD、SEM、XPS等對產品進行表征.最后,以甲基橙水溶液為模擬污染物,研究共摻雜體系的可見光催化性能.

  2 實驗

  2.1 催化劑制備

  將20 mL鈦酸丁酯與無水乙醇配成體積比為1:1的混合液,將占總溶液質量百分比5%的尿素加入該混合液中,得溶液A;稱取3.5 g硫脲,充分溶解于無水乙醇與水的混合液中,得溶液B;將溶液B緩慢滴加到溶液A中,攪拌30 min.將混合液轉移至水熱釜中,控制水熱反應溫度為180 ℃,反應4 h,離心、洗滌、干燥后煅燒3 h,得到N/S-TiO2產品.

  在上述水熱反應前的溶液中緩慢加入定量的氯化錫醇水溶液,攪拌30 min.控制水熱反應溫度為180 ℃,反應4 h,離心、洗滌、干燥后煅燒3 h,得到N/S/SnO2-TiO2產品.

  2.2 光催化性能實驗

  準確稱量0.2 g上述各產品,放入盛有100 mL、質量濃度為0.02 g·L-1 的甲基橙水溶液的反應器中,避光環境下攪拌12 h達到吸附平衡.在自制光催化實驗裝置中進行光催化降解實驗,采用175 W 紫外高壓汞燈作為光源.降解過程中定時抽取懸濁液,經過2000 r·min-1 的粗分離及8000 r·min-1 的高速離心分離出清液,待測.

  2.3 催化劑表征

  X射線粉末衍射(XRD)的測定采用日本理學Rigaku Ultima IV衍射儀,θ~2θ連續掃描方式,步長0.02 mm,掃描速度5°·min-1,掃描范圍5°~80°;采用日本日立公司生產的S-4800型掃描電子顯微鏡(SEM)觀測產品的形貌,工作電壓3 kV,工作距離1~3 mm,真空度10~8 Pa;采用美國Thermo 公司生產的ESCALAB 250Xi型號光電子能譜儀(XPS)分析產品組態,X 射線激發源為單色化AlKα射線(1486.6 eV),功率為250 W,電子結合能以C ls =284.8 eV 作為參考;采用日本島津公司生產的UV-2550紫外分光光度計(UV-vis)評價催化活性,采用積分球法,波長設定300~700 nm.

  3 結果

  3.1 產品X射線粉末衍射(XRD)結果分析

  從圖 1可以看出,Sn以SnO2的成分混雜或覆蓋在產品中.隨著煅燒溫度的升高,衍射峰的強度變大,峰寬逐漸變窄,衍射峰變得尖銳,說明晶化特征逐漸明顯,晶體結構愈趨完善.當溫度升高至600 ℃以上時,產品在(110)處出現金紅石相的特征峰,說明當煅燒溫度大于600 ℃后產品中混雜了三相物質.溫度低于550 ℃時,產品中主要為催化活性較高的銳鈦礦型TiO2及結晶度較高的SnO2產品,且隨著溫度的升高,SnO2產品結構對稱性增高,作為混相混雜在產品中.取煅燒溫度為550 ℃時的產品計算晶粒尺寸,根據Scherrer公式D=Kλ/(βcosθ)(K=0.89,λ=0.1541 nm,β為半高寬,θ為Bragg角)計算可知,產品的TiO2粒徑約為21.2 nm,而混雜的SnO2粒徑約為22.8 nm.

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  圖 1 不同溫度下N/S/SnO2-TiO2產品XRD譜圖

  圖 2為煅燒溫度為550 ℃時,制備的不同摻雜產品的XRD譜圖.從圖中可以看出,N、S摻雜的產品譜峰仍一一對應于銳鈦礦TiO2峰,且在同溫度下,N、S摻雜產品的衍射峰強較TiO2純衍射峰弱,說明N、S摻雜后改變了產品的結晶化程度,有可能升高銳鈦礦和金紅石型的轉晶溫度.而Sn摻雜后產品中出現了明顯的SnO2衍射峰,說明在TiO2表面包覆SnO2或有SnO2混雜在產物中.且在N、S、Sn共摻雜后衍射峰強度較好,晶化明顯.說明N、S的加入改變了產品中Sn的結晶度,共摻雜的結晶化程度更高.

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  圖 2 不同產品的XRD譜圖

  3.2 產品掃描電鏡(SEM)分析

  從圖 3可以看出,煅燒溫度不同,產品的結晶化程度也不同.在制備的產品中,物質不是單一的以一種產品形式存在,從圖 3中得知,SnO2混雜在TiO2產品中,結合圖 1中XRD分析可知,隨著溫度的升高,產品結晶度越高.當煅燒溫度為450 ℃時,如圖 3a所示,兩相產品混雜,TiO2顆粒在此溫度下形成了較穩定的銳鈦礦晶型,對比圖 1中XRD分析可知,SnO2產品無明顯晶化,TiO2小顆粒不規則地粘附在SnO2表面.當溫度為550 ℃時,SnO2出現了一定的晶態,且一定的方式離散在TiO2顆粒中(圖 3c、d).隨著煅燒溫度的進一步升高,SnO2均勻的分散在TiO2顆粒中.而繼續升高溫度,晶化程度更為明顯,但出現了不同形貌的SnO2礦相.

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  圖 3 不同煅燒溫度下產品的掃描電鏡圖(a.450 ℃,b.500 ℃,c,d.550 ℃,e.600 ℃,f.700 ℃)

  圖 4為煅燒溫度550 ℃時,不同摻雜產品的SEM圖.從圖 4可以看出,單一摻Sn產品中,SnO2隨機分散在TiO2顆粒表面,混雜在TiO2產品中.N/S/SnO2-TiO2共摻雜產品中,SnO2較為均一地分散在TiO2小顆粒中.N、S摻雜產品與純TiO2產品相比,形態相似,粒徑大致相同,約15~20 nm左右.

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  圖 4 不同摻雜產品的掃描形貌圖(a.TiO2,b.N/S-TiO2,c.SnO2-TiO2,d.N/S/SnO2-TiO2)

  3.3 X光電子能譜(XPS)分析

  XPS譜圖在本文中主要用于進行N/S/SnO2-TiO2催化劑中N、S是否存在于產品中的定性分析.從圖 5可以看出,Ti-2p譜上顯示兩個結合能峰值:464.68 eV和458.88 eV,分別對應于Ti4+ 2p1/2和Ti4+ 2p3/2,產品中2個峰的間隔為5.8 eV,比純TiO2的5.92 eV少0.12 eV,意味著產品Ti-2p的外稟自旋-軌旋偶和作用為最小,說明雜質離子進入TiO2晶格后,引起Ti原子化學環境與價態的改變,使之出現多重價態而使Ti2p的自旋-軌旋偶合作用減弱.O-1s的XPS峰形狀不對稱,分裂為2個峰,說明產品中與氧相連的價態至少有2種,530.08 eV處對應于TiO2的晶格氧,而531.58 eV對應于表面吸附的—OH中的氧.S-2p譜中168.48 eV對應于Ti—O—S中的S6+態,由于S6+尺寸較大,不可能在Ti—O隙間或置換O產生摻雜態,但可置換晶格中的Ti4+而形成Ti—O—S鍵,169.68 eV處的XPS峰可能是存在S—O鍵,但這種鍵可能獨立于TiO2晶格中,與Ti—O鍵只有較弱的力場作用(劉少友等,2011).N-1s在399.88 eV處對應于O—Ti—N中的N原子,401.78 eV峰對應于表面分子中吸附的N原子(Charanpahari et al.,2012).Sn-3d的XPS峰中出現兩個結合能峰值,494.98 eV對應于Sn4+3d3/2,486.48 eV對應于Sn4+3d5/2鍵,與標準SnO2的XPS峰值一致.

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  圖 5 N/S/SnO2-TiO2產品XPS譜圖

  3.4 光催化性能評價

  光催化氧化反應主要是利用光催化劑光生空穴的氧化能力.半導體價帶電位與其光生空穴的氧化能力有關.光生載流子分離效率越高,光催化效率越高.從圖 6及表 1可以看出,純TiO2的比表面積較大,但由于其禁帶寬度較大,紫外光激發波長較短.當N、S摻雜后產品比表面積增大,催化活性增強,N、S可在導帶以下部位引入電子供體能級,減小了TiO2的能帶寬度,紫外光激發波長紅移.SnO2-TiO2產品比表面積較小,對催化活性有一定的影響,且雖然SnO2自身的禁帶寬度比較大,其導帶和價帶位置分別位于0.07 eV和3.67 eV;但當SnO2與 TiO2的界面接觸時,SnO2的導帶捕獲來自TiO2導帶位置的電子,將O2還原成·HOO.空穴直接由SnO2的價帶遷至TiO2的價帶,將吸附于催化劑表面的水分子氧化為·OH,TiO2和SnO2之間兩兩形成異質結,降低電子-空穴對復合,不僅延長了載流子的壽命,還提高了界面電子吸附底物的效率,生成大量的活性物質,因而大大提高產品的光催化活性(趙偉榮等,2014).復合摻雜后的N/S/SnO2-TiO2產品較SnO2-TiO2產品比表面積增大,活性點增多,且N、S新能級的引入減小了TiO2的能帶寬度,使得紫外激發波長紅移,催化活性增強.

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  圖 6 不同催化劑的DRS譜圖

  表 1 不同催化劑多點BET比表面積分析結果

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  圖 7為光催化活性評價圖,圖 8為不同催化劑光照時間不同時的脫色率,0 min前為避光暗處不同催化劑對甲基橙的脫色實驗,取平衡后實驗條件.從圖 8中可以看出,在實驗避光攪拌12 h后甲基橙吸附平衡,達到吸附穩定.避光暗處各催化劑對甲基橙的吸附值較小,自制N/S/SnO2-TiO2催化劑對甲基橙的脫色率僅為8%,雖較其他幾種催化劑吸附脫色作用稍強(其他幾種催化劑暗箱下甲基橙的脫色率分別為2%、4%、7%),但脫色效果不明顯.當在紫外光照射下,N/S/SnO2-TiO2光催化降解甲基橙的反應迅速發生,當紫外燈照射0.5 h時,甲基橙脫色率達到75%以上,當照射時間達到1 h時,甲基橙基本降解完畢,脫色率達到95%以上,1 h后染料溶液幾乎完全被降解.對比空白實驗及N/S-TiO2、SnO2-TiO2、TiO2的光降解活性,說明適量N、S摻雜可有效地改變的禁帶寬度,提高TiO2的光催化劑催化活性.Sn的摻雜通過形成復合半導體納米粒子,能夠有效地改善TiO2光生載流子的分離狀況,也能提高TiO2的光催化劑催化活性.具體參見 污水處理技術資料或污水技術資料更多相關技術文檔。

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  圖 7 光照不同時間下N/S/SnO2-TiO2的催化活性光譜圖

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  圖 8 不同催化劑光照時間不同時的脫色率

  4 結論

  1)采用水熱法合成了N/S/SnO2-TiO2光催化劑,當溫度為550 ℃時,SnO2以一定的方式離散在TiO2顆粒中,TiO2粒徑約為21.2 nm,離散的SnO2粒徑約為22.8 nm.

  2)S以+6價形式進入TiO2晶格取代Ti形成Ti—O—S鍵,N通過取代晶格中的O形成O—Ti—N鍵而改變TiO2能帶結構,使紫外-可見吸收光譜發生較大紅移,增強了可見光的吸收效率.

  3)適量Sn摻雜能夠顯著促進TiO2納米粒子表面光生載流子的分離,提高納米TiO2的光催化活性.

  4)與N/S-TiO2、SnO2-TiO2、TiO2及空白實驗相比較,N/S/SnO2-TiO2明顯提高了甲基橙的光催化效果,且當紫外燈照射時間為1 h時,甲基橙溶液脫色率達到95%以上,甲基橙基本降解完畢.

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